آنالیز TEM

روش های آنالیز و شناسایی مواد، بسیار حائز اهمیت هستند. چرا که خواص فیزیکی و شیمیایی یک محصول به نوع مواد اولیه و ریزساختار آن بستگی دارد. بنابراین جهت شناسایی ریز ساختار هر ماده و در نتیجه ویژگی های آن ماده به منظور انجام پژوهش و نیز کنترل کیفیت محصولات صنعتی، نیاز به روش ها و تجهیزات شناسایی است. یکی از ابزارهای آنالیز و شناسایی مواد، میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM است. این میکروسکوپ اولین نوع میکروسکوپ الکترونی ابداع شده است که مکانیزم عملکردی بسیار شبیه به میکروسکوپ عبوری نوری دارد با این تفاوت که در میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM به جای نور از پرتو الکترونی و به جای لنز نوری از لنز مغناطیسی استفاده شده است.

میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) که اولین نوع میکروسکوپ‌های الکترونی ساخته شده است، ابزاری ویژه برای تعیین ساختار و مورفولوژی مواد است. از این میکروسکوپ‌ها جهت مطالعات ساختار کریستال ها، تقارن، جهت‌گیری و نقص های بلوری می‌توان استفاده کرد. در میکروسکوپ الکترونی عبوریTEM ، به دلیل محدودیت قدرت تفکیک میکروسکوپ‌های نوری که از طول موج نور مرئی ناشی می‌شود، از پرتوهای الکترونی استفاده می‌شود. روش عملکرد این میکروسکوپ ها بدین صورت است که در آن یک پرتو الکترونی از سطح نمونه عبور داده می‌شود و انرژی آن کاسته می‌شود. پرتو الکترونی عبور کرده از نمونه، با توزیع انرژی خاصی که مختص به همان ماده است روی یک صفحه فسفری متمرکز و نمایش داده می‌شود و یا برای پردازش کامپیوتری به یک کامپیوتر فرستاده می شود. با بررسی و تحلیل تصویر حاصله می‌توان به اطلاعات موردنظر از ساختار ماده دست یافت.

مهمترین ویژگی‌های TEM

هر TEM سه ویژگی اساسی و تعیین‌کننده دارد که تعیین‌کننده کیفیت عملکرد آن هستند:

  • حد تفکیک

بر اساس تعریف، حد تفکیک (قدرت تفکیک) به معنای حداقل فاصله بین دونقطه با خصوصیات تصویری متفاوت از یکدیگر است که به‌صورت دونقطه نوری متفاوت از هم در تصویر دیده ‌شوند. مهم‌ترین عامل تأثیرگذار بر حد تفکیک TEM، ولتاژ شتاب‌دهنده الکترون‌هاست که افزایش آن سبب بهبود حد تفکیک می‌شود. هرچه حد تفکیک میکروسکوپ الکترونی بیشتر باشد، جزئیات بیشتر و واضح‌تری در تصویر مشاهده خواهد شد. به‌طورمعمول قدرت تفکیک میکروسکوپ‌های الکترونی عبوری TEM با ولتاژ پایین بین ۱-۱/۰ نانومتر می باشد که در میکروسکوپ‌های الکترونی عبوری با ولتاژ بالا به محدوده پیکومتر نیز می‌رسد.

  • بزرگنمایی

نسبت اندازه تصویر مشاهده‌شده در میکروسکوپ به‌اندازه ناحیه واقعی تصویربرداری شده، مفهوم بزرگنمایی را تعریف می‌کند. میزان بزرگنمایی در میکروسکوپ‌های الکترونی عبوری تا 000/500/1 (یک و نیم میلیون) برابر و بیشتر نیز می‌رسد.

  • امکان تهیه آنالیز عنصری و الگوی پراش

به‌طورمعمول در آنالیز TEM می‌توان آنالیز عنصری کیفی و کمی جلوه‌های تصویری به ابعاد حدود nm ۳۰ و بالاتر را انجام داد. هم‌چنین برای تعیین نوع شبکه بلوری و جهت‌گیری اجزای ساختاری در فضا می‌توان از امکان تهیه الگوی پراش الکترونی نیز استفاده نمود. این دو قابلیت به‌صورت منحصربه‌فرد تنها در میکروسکوپ الکترونی عبوری در کنار یکدیگر قرار دارند و امکان ویژه‌ای را برای محققان فراهم می‌آورند تا هم‌زمان، شکل، جنس، نوع شبکه و نحوه جهت‌گیری آن در فضا را بررسی نمایند.

دستگاهوری آنالیز TEM

  • تفنگ الکترونی (Electron gun)

وظیفه این بخش، ایجاد پرتوهای پرانرژی الکترون به منظور عبور آنها از نمونه های نازک مورد بررسی است. هر تفنگ الکترونی در بالای میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM قرار دارد و از ۲ بخش منبع الکترونی (معروف به کاتد) و یک سیستم شتاب‌دهنده تشکیل شده است. متداول ترین نوع تفنگ های الکترونی، تفنگ الکترونی حرارتی است که الکترون ها را در محدوده ۴۰-۲۰۰ کیلوولت شتاب می‌دهد. تعیین میزان انرژی الکترون ها به جنس و ویژگی های نمونه و همچنین به قدرت تفکیک مورد نیاز کاربر وابسته است.

 

  • عدسی ها (Lenses)

دستگاه TEM از عدسی های متعددی تشکیل شده است که هرکدام نام و وظیفه خاص خود را دارند:

عدسی‌هایی که بین منبع الکترونی و نمونه قرار می‌گیرند، عدسی متمرکز کننده (Condensing Lens) نامیده می‌شوند که پرتوهای الکترونی را کانونی می کنند تا وقتی که پرتوهای الکترونی به نمونه می‌رسند پرتوهایی ظریف و پرانرژی باشند و بتوانند از نمونه عبور کنند. روزنه شیئی نیز در صفحه کانونی پشتی عدسی‌های شیئی (Objective Lens) قرار داده می‌شود تا پرتوهایی که با زاویه باز پراکنش می کنند را محدود نمایند. عدسی‌های شیئی از حساس‌ترین بخش‌های TEM محسوب می‌شوند که نمونه بین آن‌ها قرار می‌گیرد. بزرگنمایی اولیه، کانونی نمودن تصویر و ایجاد الگوهای پراش توسط همین عدسی‌ها انجام می‌گیرد.

عدسی های الکترومغناطیس، میدانی الکترومغناطیس به موازات حرکت الکترون ها ایجاد می‌کنند و الکترون ها با آنها برخورد ندارند و فقط نیروی حاصل از میدان الکترومغناطیس این عدسی ها باعث  حرکت الکترون در مسیر یک منحنی مارپیچ در طول عدسی می‌شود. به محض آنکه الکترون شروع به حرکت مارپیچ نمود، مولفه سرعتی عمود بر صفحه پیدا می‌نماید و تحت تاثیر نیرویی در جهت شعاعی قرار می‌گیرد. در نتیجه، مسیر مارپیچ تنگتر و کوچکتری را می‌پیماید و اثر آن این است که پرتوهای الکترونی موازی که وارد عدسی می‌شوند، در یک نقطه همگرا می‌شوند (این دقیقا همان عملی است که یک عدسی شیشه‌ای در مقابل نور انجام می‌دهد).

 

  • محفظه نمونه (Sample Chamber)

محفظه نمونه در زیر قسمت سیستم متمرکز کننده قرار دارد. نمونه‌ی مورد نظر باید بسیار کوچک باشد و خیلی دقیق در جای مناسب خود در بین عدسی‌های شیئی قرار گیرد. محفظه نمونه باید بتواند در حد چند میلی‌متر جابجا شده و به میزان زیادی بچرخد. همچنین اگر از میکروسکوپ برای آنالیز شیمیایی نیز استفاده شود، پرتوX   باید بتواند از این محل خارج شود. برای دستیابی به این مشخصات از میله نگهدارنده نمونه استفاده می‌شود که می‌تواند نمونه‌ای به قطر ۳ میلی متر یا کوچکتر را که بر روی شبکه حمایتی با اندازه ۳ میلی متر قرار دارد، مابین قطب‌های عدسی‌های شیئی قرار دهد.

 

  • سیستم تصویر و صفحه نمایش (Illustration System)

اولین تصویر ایجادشده در آنالیزTEM ، بزرگنمایی ۱۰۰-۵۰ برابر دارد. این تصویر، توسط یک سری از عدسی‌های میانی و تصویری بزرگ شده و نهایتاً بر روی صفحه نمایش فلورسانس میکروسکوپ تابانده می‌شود. با استفاده از سری عدسی هایی که هر سری می‌تواند تصویر را تا بیست برابر بزرگ نماید، به راحتی بزرگنمایی نهایی تا یک میلیون برابر قابل دستیابی خواهد بود.

 

  • پمپ خلاء (Vacuum Pump)

دستگاه TEM نیاز به یک پمپ خلاء دارد تا در سیستم، خلاء ایجاد کند و مانع اکسید شدن نمونه شود. همچنین، شرایط پراش راحت تر الکترون را فراهم کند (در شرایط اتمسفر معمولی، الکترون‌هایی با انرژی KeV15، تنها  cm۱۰ نفوذ می‌کنند) و ستون میکروسکوپ را تمیز نگاه دارد.

تصویرسازی در آنالیز TEM

در میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM دو نوع تصویر شکل می گیرد:

  1. تصویر زمینه روشن :(Bright Field Image) در این حالت برخی از الکترون‌های برخورد کرده به نمونه از آن گذر می‌کنند اما برخی دیگر زاویه بازتاب آنها به نحوی است که پراکنش الاستیک یا غیرالاستیک انجام می‌دهند. تاثیر دریچه برای تشکیل دادن تصویر زمینه روشن این است که الکترون های پراکنش یافته با زاویه های بزرگ را متوقف می کند. وقتی که دریچه در محور کانونی قرار می‌گیرد و نمونه برداشته می‌شود (در غیاب نمونه)، یک زمینه روشن دیده می شود که به آن زمینه روشن گفته می‌شود. نواحی با ضخامت بیشتر نمونه از آنجا که روزنه مانع عبور اینگونه پرتوها می‌شوند، پراکنش قوی تری دارند و در تصویر به صورت تاریک دیده می‌شوند. تصاویر زمینه روشن، کنتراست جرم و پراش در تصاویر ریزساختارهای داخلی را به خوبی نشان می‌دهند. از این نوع تصاویر معمولاً به منظور بررسی حالت‌های بلوری، وضعیت دانه ها و نقایص بلوری استفاده می شود.
  2. تصویر زمینه تاریک :(Dark Field Image)با تغییر اندازه روزنه عدسی‌های شیئی، امکان انتقال پرتوهای پراش یافته فراهم می شود و از عبور پرتوهای اصلی ممانعت می شود و در نتیجه تصویری با زمینه تاریک ساخته می‌شود. تصویر حاصله نشانگر نواحی ای از نمونه اند که پرتوهای الکترونی از آن ها عبور کرده اند. این گونه تصاویر حد تفکیک پایینی دارند. از این تصاویر در کنتراست پراش و مشخص کردن نقائص بلوری استفاده می‌شود.

مزایای آنالیز TEM:

  • بالاترین رزولوشن در میان میکروسکوپ ها
  • توانایی تصویربرداری به صورت دو بعدی
  • آنالیز عنصری
  • مطالعه درون سلول ها
  • تعیین الگوی پراش الکترونی

معایب و محدودیت های آنالیز TEM :

  • فرآیند سخت، پیچیده و زمان بر نمونه سازی
  • قدرت تفکیک تصویر حدود 0.2 نانو متر
  • محدودیت آنالیز کمی معمولا برای عناصری با عدد اتمی کمتر از ۱۱
  • حداقل ناحیه آنالیز شده در حدود ۳۰ نانومتر قطر دارد. محدودیت شناسایی ساختار بلوری به فازها و ترکیبات موجود در جداول فایل پراش پودری
  • زمان طولانی انجام آزمایش برای هر نمونه (۳ تا ۳۰ ساعت بدون احتساب زمان آماده سازی)
  • امکان تغییر ساختار نمونه در حین فرایند آماده‌سازی
  • میدان دید در این تکنیک بسیار کوچک بوده و نمی‌توان خواص ناحیه آنالیز شده را به کل نمونه نسبت داد.
  • اشعه میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM نمونه را تحت تاثیر قرار داده و به آن آسیب می‌رساند.

کاربردهای آنالیز TEM :

  • تعیین جهت رشد مواد بلورین و صفحات کریستالی
  • تعیین بردار برگرز نابجایی و انرژی نقص انباشتگی
  • تعیین عیوب بلوری و مرزدانه‌ها
  • بررسی هم سیمایی
  • استحاله‌های فازی
  • بازیابی و تبلور مجدد
  • خستگی
  • اکسیداسیون
  • رسوب
  • بررسی‌های ساختاری
  • بررسی سطوح شکست
  • تشخیص مناطق دارای تنش پسماند
  • شناسایی ترکیب شیمایی فازهای غیرآلی
  • مطالعه سرامیک‌ها و کانی‌ها